MOS ICs & Technology Pro

MOS ICs & Technology App couvrant des cours, des conférences, des notes et des livres pour les étudiants.

Notes sur les circuits intégrés et la technologie MOS (circuit intégré) pour un apprentissage facile et rapide. Cette application est en fait un manuel, qui couvre tous les sujets du sujet. Vous pouvez considérer cette application comme une note que les professeurs guident dans une salle de classe.

Vous pouvez très facilement réussir et réussir vos examens et vos entretiens si vous avez cette application sur votre téléphone mobile et en donner un aperçu pendant quelques jours.

Il couvre 114 sujets de MOS ICs & Technology en détail. Ces 114 sujets sont divisés en 8 unités

Certains des sujets abordés dans cette application sont:

1. Loi de Moore.

2. Comparaison des technologies disponibles

3. Transistors MOS de base

4. Action Transistor en mode amélioration:

5. Fabrication NMOS:

6. Fabrication CMOS - P-WELL PROCESS

7. PROCÉDÉ DE FABRICATION DE N-PUITS CMOS:

8. Procédé de fabrication CMOS-Twin-Tub

9. Technologie bi-CMOS: - (CMOS bipolaire):

10. Production de masques à faisceau électronique

11. Introduction au transistor MOS

12. Relation entre Vgs et Ids, pour un Vds fixe

13. Équations MOS (équations DC de base):

14. Effets de second ordre

15. CARACTÉRISTIQUES DU CMOS INVETER

16. Caractéristiques de l'onduleur

17. Dérivation graphique des caractéristiques CC de l'onduleur

18. marge de bruit

19. Onduleurs à charge statique MOS

20. Portes de transmission

21. Inverseur Tristate

22. Diagrammes en bâtons - Encodages pour le processus NMOS

23. Codages pour le processus CMOS

24. Encodage pour BJT et MOSFET

25. Style de conception NMOS et CMOS

26. Règles de conception - CI MOS et technologie

27. Via

28. Règles de conception CMOS lambda

29. Processus CMOS Orbit 2um

30. Estimation de la résistance.

31. Résistance de la feuille des transistors mos

32. Estimation de la capacité

33. Retard

34. Retards de l'onduleur

35. Estimation formelle du retard

36. Conduite de grande charge capacitive

37. valeur optimale de f

38. Super tampon

39. Pilotes Bicmos

40. Délai de propagation

41. Autres sources de capacité

42. Choix de couches

43. Mise à l'échelle de plusieurs appareils

44. Conception physique de base un aperçu

45. Conception physique de base un aperçu

46. ​​Schéma et disposition des portes de base-Inverter Gate

47. Schéma et disposition des portes de base - porte NAND et NOR

48. Porte de transmission

49. Conception de cellule CMOS standard

50. Optimisation de la présentation pour la performance

51. Directives générales de mise en page

52. Logique BICMOS

53. Logique pseudo-nmos

54. Autres variantes de pseudo nmos - Logique multi-drain et Logique groupée

55. Autres variations de pseudo nmos - Logique dynamique du cmos

56. Autres variantes de pseudo nmos - LOGIQUE CMOS CLOCKED (C2MOS)

57. Logique de dominos CMOS

58. Logique de commutation de tension en cascade

59. logique du transistor de passage

60. Structures de circuit logique de la technologie CMOS

61. Mise à l'échelle des circuits MOS

62. Mise à l'échelle technologique

63. Carte routière technologique internationale des semi-conducteurs (ITRS)

64. Modèles de mise à l'échelle et facteurs de mise à l'échelle pour les paramètres de périphérique

65. Implications de la mise à l'échelle

66. Problèmes d'interconnexion

67. Rayon accessible

68. Puissance dynamique et statique

69. Productivité et limites physiques

70. Limitations de la mise à l'échelle

71. Dopage de substrat

72. Largeur d'épuisement

73. Limites de miniaturisation

74. Limites d'interconnexion et de résistance de contact

75. Limites dues aux courants inférieurs au seuil

76. Limites dues aux courants inférieurs au seuil

77. Système

78. Flux de conception VLSI

79. 3 approche de conception structurée

80. régularité

81. MOSFET comme commutateur

82. Connexion parallèle et en série de commutateurs

83. ONDULEUR CMOS

84. Conception de la porte NAND

85. Conception de la porte NOR

86. Propriétés CMOS

87. portes complexes

88. portes complexes AOI

LIENS IMPORTANTS

Commentaires: partagez vos commentaires à [email protected]

Liens sociaux

Facebook: https://www.facebook.com/EngineeringEasy/

Twitter: https://twitter.com/easyengineerin

Site Web: http: //www.engineeringapps.net/

Tous vous un très heureux apprentissage