Semiconductor Device Pro

Dispositifs électroniques, circuits, diodes, transistors et jonctions en bref

* Le circuit électronique du dispositif semi-conducteur est constitué d'un matériau qui n'est ni un bon conducteur ni un bon isolant.

* Les dispositifs à semi-conducteurs ne sont que des composants électroniques qui exploitent les propriétés électroniques des matériaux semi-conducteurs, tels que le silicium, le germanium et l'arséniure de gallium, ainsi que des semi-conducteurs organiques.

Mots clés

o semi-conducteur

o diode

o transistor

o Transistor à jonction bipolaire

o base

o collecteur

o émetteur

o circuits intégrés

Cette application utile répertorie 160 sujets avec des notes détaillées, des diagrammes, des équations, des formules et des supports de cours. Les sujets sont répertoriés dans 5 chapitres. L'application est indispensable pour tous les étudiants et professionnels en sciences de l'ingénieur.

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Certains des sujets couverts dans l'application sont:

1. L'expérience Haynes-Shockley

2. Matériaux semi-conducteurs

3. réseau cristallin

4. Réseaux cubiques

5. Avions et directions

6. Le treillis de diamant

7. Croissance de cristaux en vrac

8. Croissance des lingots monocristallins

9. Gaufrettes

10. Croissance épitaxiale

11. Epitaxie en phase vapeur

12. Épitaxie par jet moléculaire

13. Porteurs de charge dans les semi-conducteurs

14. Masse effective

15. Matériel intrinsèque

16. Matériel extrinsèque

17. Les électrons et les trous dans les puits quantiques

18. Le niveau de Fermi

19. Compensation et neutralité de la charge d'espace

20. Dérive et Résistance

21. absorption optique

22. photoluminescence

23. électroluminescence

24. Durée de vie du porteur et photoconductivité

25. Recombinaison directe d'électrons et de trous

26. recombinaison indirecte; Piégeage

27. génération de porteuses à l'état stable; Niveaux de quasi-Fermi

28. dispositifs photoconducteurs

29. Processus de diffusion

30. Diffusion et dérive des porteurs: champs intégrés

31. diffusion et recombinaison; L'équation de continuité

32. Injection à l'état stationnaire: longueur de diffusion

33. Gradients dans les niveaux de quasi-Fermi

34. Dépendance à la température des concentrations de transporteur

35. Effets de la température et du dopage sur la mobilité

36. Effets de champs élevés

37. L'effet Hall

38. Fabrication de jonctions p-n: oxydation thermique

39. Diffusion de la jonction P-N

40. Traitement thermique rapide

41. Implantation ionique

42. Dépôt chimique en phase vapeur (CVD)

43. Photolithographie

44. Gravure

45. Métallisation

46. ​​Conditions d'équilibre

47. Niveaux d'équilibre de Fermi

48. Charge d'espace à une jonction

49. Jonctions à polarisation directe et inverse

50. Injection de porteur

51. Biais inverse

52. Ventilation par polarisation inverse

53. Panne de Zener

54. Rupture d'avalanche

55. Redresseurs

56. La diode de panne

57. Conditions transitoires et A-C

58. Transient de récupération inverse

59. Le modèle de diode idéale

60. Effets du potentiel de contact sur l'injection de la porteuse

61. Diodes de commutation

62. Capacité des jonctions p-n

63. Recombinaison et génération dans la région en transition

64. Pertes ohmiques

65. Jonctions graduées

66. Jonctions semi-conductrices métalliques: barrières de Schottky

67. Processus de transport actuels

68. Théorie de l'émission thermionique

69. Théorie de la diffusion

70. Théorie des émissions thermioniques

71. Contacts de rectification

72. Courant de tunnel

73. Injection transporteur minoritaire

74. Diode de tunnel MIS

75. Mesure de la hauteur de la barrière

76. Mesure d'énergie d'activation

77. Mesure photoélectrique

78. Contacts ohmiques

Chaque sujet est complet avec des diagrammes, des équations et d'autres formes de représentations graphiques pour un meilleur apprentissage et une compréhension rapide.

Semiconductor Devices fait partie des cours de formation en ingénierie et des programmes de diplôme en technologie de diverses universités.